BFQ591
BFQ591硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于philips公司，现在国内也有公司生产。目前我司有高频微波三极管系列，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。
BFQ591参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：15V
集电极-基极电压VCBO:20V 发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:200mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W
工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-89 功率特性：中功率 极性：NPN型
结构：扩散型 材料：硅(Si) 封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA
集电极允许电流IC：0.2（A）
集电极*大允许耗散功率PT：2.25（W）
插入功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 |
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